ED Sciences Physiques et de l'Ingénieur
Méthode de design d'amplificateur de puissance Sub-THz en technologie 28 nm FD-SOI pour des applications 6G.
par Antoine LHOMEL (Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système)
Cette soutenance a lieu à 9h30 - Amphithêatre J.P Dom 351 Cours de la Libération, 33405 Talence Cedex, France, UMR 5218 - IMS - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système
devant le jury composé de
- Nathalie DELTIMPLE - Professeure des universités - IMS Bordeaux UMR 5218 - IMS - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système, Université de Bordeaux - Directeur de these
- Guillaume DUCOURNAU - Professeur des universités - Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies (IEMN), UMR-CNRS 8520, Université de Lille - Rapporteur
- Alexandre SILIGARIS - Docteur - CEA Leti - Rapporteur
- François RIVET - Maître de conférences - IMS Bordeaux UMR 5218 - IMS - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système, Université de Bordeaux - CoDirecteur de these
- Eric KERHERVE - Professeur des universités - IMS Bordeaux UMR 5218 - IMS - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système, Université de Bordeaux - Examinateur
- Yann DEVAL - Professeur des universités - IMS Bordeaux UMR 5218 - IMS - Laboratoire de l'Intégration du Matériau au Système, Université de Bordeaux - Examinateur
- Andreia CATHELIN - Ingénieure - STMicroelectronics - Examinateur
- Sebastien SADLO - Docteur - STMicroelectronics - Examinateur
La bande D [110 GHz - 170 GHz] est envisagée pour les communications à très haute vitesse et le déploiement futur de la 6G. Plusieurs technologies, telles que le III-V ou le silicium, peuvent être envisagées. L'avantage principal du silicium réside dans sa haute densité d'intégration et son faible coût. Par conséquent, les performances de ces technologies doivent être évaluées dans le contexte des applications 6G. L'amplificateur de puissance est l'un des éléments clés du Front-End Radiofréquence. Ainsi, la technologie 28nm FD-SOI CMOS présente un grand intérêt en raison de sa fréquence d'oscillation maximale élevée fmax et de ses bonnes capacités de gestion de la puissance. Ce travail présente les résultats de recherche liés à la conception d'amplificateurs de puissance en technologie 28-nm FD-SOI CMOS pour la bande D. Cette thèse explore diverses méthodes d'augmentation du gain utilisées dans les architectures d'amplificateurs de puissance et examine également les architectures de combinateurs de puissance pour répondre aux deux principaux défis de la conception d'amplificateurs de puissance pour la bande D. Les méthodes de conception menant à ces architectures, ainsi que les résultats de mesures, sont présentés.